Dalším významným vlajkovým systémem Qualcomm na čipu bude Snapdragon 835. Společnost nedávno představila tento procesor nové generace, který nahradil populární Snapdragon 821 a 820 nalezený v dnešním hardwaru, spolu s více než 200 návrhy na trhu pro jejich současný gen Snapdragon line-up.

Společnost neodhalila mnoho podrobností o architektuře svého nově navrženého čipu. Zde je to, co víme o procesoru Snapdragon 835:

• Čip je konstruován pomocí 10nm (nanometrové) technologie Samsung FinFET, což je první na trhu v polovodičové technologii, na rozdíl od 14nm procesu používaného u 821.
• Procesor je konstruován z nanomateriálů - molekul a atomů o velikosti menší než 100 nanometrů (nm), které projevují odlišné vlastnosti než jejich ekvivalenty s většími částicemi: některé vylepšené nanomateriály zahrnují menší hmotnost, vyšší pevnost a větší chemickou reaktivitu.

Společnost Samsung dále tvrdí, že proces 10nm může měřit až do určité kombinace 30% zvýšení efektivity plochy, 27% vyšší výkon nebo 40% nižší spotřeba energie - pravděpodobně s ohledem na podobné pracovní zatížení, v porovnání s předchozí generací společnosti Snapdragon 820 série.

Jsme nadšeni, že můžeme pokračovat ve spolupráci se společností Samsung na vývoji produktů, které vedou mobilní průmysl, “řekl Keith Kressin, senior viceprezident pro správu produktů, Qualcomm Technologies. Inc. „Očekává se, že použití nového procesního uzlu 10nm umožní, aby náš procesor vyšší úrovně Snapdragon 835 poskytoval vyšší energetickou účinnost a zvyšoval výkon a zároveň nám umožňoval přidávat řadu nových funkcí, které mohou vylepšit uživatelský zážitek zítřejších mobilních zařízení.

Společnost Qualcomm připisuje uzel 10nm za technologii Quick Charge, což je funkce navržená tak, aby poskytovala maximální napětí a proud přes kabely USB, aby se zvýšila energetická účinnost a celkový výkon zařízení. Ale žádné silné funkce nepřicházejí bez jejich vlastních omezení a pro tento konkrétní je to nestandardní signalizace a nestandardní použití připojení v kabelu USB, o kterém je známo, že způsobuje několik problémů s nekompatibilitou.

Technologie Quick Charge navíc nabízí 20% rychlejší doby nabíjení a schopnost poskytnout až 5 hodin výdrže baterie za pouhých 5 minut nabíjení. Společnost Qualcomm založila svůj nárok na interním testování baterie o výkonu 2750 mAh, což je baterie standardní velikosti pro průměrný prémiový smartphone, který je v současné době na trhu k dispozici.

Čipy Qualcomm Snapdragon 835 se mají objevit na trhu začátkem příštího roku.